8英寸！第四代半導(dǎo)體再突破，我國氧化鎵研究取得系列進(jìn)展

2023-03-14 19:34:50

每經(jīng)AI快訊，日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著該校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。行業(yè)分析人士表示，氧化鎵是第四代半導(dǎo)體材料，在市場(chǎng)對(duì)性能好、損耗低、功率密度高的功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿薮?。（?shù)據(jù)寶）

責(zé)編張楊運(yùn)

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