【市場表現(xiàn)】

三大指數(shù)漲跌不一，截至收盤，滬指漲0.16%，深成指跌0.3%，創(chuàng)業(yè)板指跌0.57%。滬深兩市成交額3.23萬億，較上一個交易日放量2646億元。今日半導體設(shè)備ETF表現(xiàn)疲軟，收跌4.51%。

【下跌因素分析】

寬基資金持續(xù)流出，市場呈現(xiàn)快速輪動行情。一方面，近期寬基資金持續(xù)流出，對整體市場形成一定上漲壓力。另一方面，有色、食品飲料、地產(chǎn)等板塊的表現(xiàn)較強，疊加前期累積漲幅較大，因此半導體板塊呈現(xiàn)一定下跌壓力。綜合看，今日半導體設(shè)備下跌非基本面驅(qū)動，系短期缺乏重大利好刺激疊加市場輪動節(jié)奏加快的結(jié)果。

【后市展望】

1、擴產(chǎn)需求旺盛，半導體設(shè)備景氣良好，美股存儲、半導體設(shè)備代表性個股創(chuàng)下新高。1月28日，ASML發(fā)布財報。2025年第四季度，ASML實現(xiàn)凈銷售額97億歐元，毛利率為52.2%，凈利潤達28億歐元。第四季度的新增訂單金額為132億歐元，其中74億歐元為EUV光刻機訂單，創(chuàng)下歷史新高。截至2025年底，ASML的未交付訂單金額為388億歐元。目前ASML的積壓訂單能見度已經(jīng)到了2027年，其中存儲貢獻了重要增量，第四季度訂單中，存儲芯片客戶占比達到56%，超越邏輯芯片，這表明當前全球存儲的擴產(chǎn)具備很強動力。受此影響，昨日美股拉姆研究、應用材料等半導體設(shè)備個股及閃迪、美光等存儲個股均創(chuàng)下新高。

2、擴產(chǎn)預期持續(xù)強勁，后續(xù)仍有上調(diào)空間。從目前動態(tài)看，2026Q1中Nand價格或仍維持倍增，并有望在Q2之后持續(xù)，這強烈刺激了行業(yè)的擴產(chǎn)欲望。國內(nèi)方面市場預期今年兩存擴產(chǎn)12萬~14萬片，后市存儲產(chǎn)能持續(xù)緊缺，擴產(chǎn)預期仍有望上調(diào)，2027~2028年的擴產(chǎn)預期也有望陸續(xù)打入。

3、半導體設(shè)備板塊依然具備“存儲擴產(chǎn)+先進制程擴產(chǎn)”的明確成長敘事，當前仍具備較強配置價值。這一輪半導體設(shè)備的敘事不同于以往的周期復蘇或國產(chǎn)替代，而是實打?qū)嵉氖芤嬗谌駻I驅(qū)動的高景氣。無論是AI算力所需的先進制程擴產(chǎn)，還是AI存力推動的存儲擴產(chǎn)，半導體設(shè)備都是突破產(chǎn)能瓶頸的核心環(huán)節(jié)。

估值方面，截至1月29日，半導體設(shè)備ETF標的指數(shù)PETTM為106.83x，位于上市以來85.40%分位。有興趣的投資者關(guān)注半導體設(shè)備ETF（159516），在當前市場的迅速輪動中，可以關(guān)注低位布局機會。

風險提示：提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風險收益特征各不相同，敬請投資者仔細閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風險等級及收益分配原則，選擇與自身風險承受能力匹配的產(chǎn)品，謹慎投資。