截至2026年2月5日 13點(diǎn)11分，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌2.13%。成分股方面，華峰測控領(lǐng)跌6.60%，拓荊科技下跌4.36%，華海誠科下跌4.30%，興福電子下跌3.86%，有研硅下跌3.80%?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌2.06%，最新報價1.72元。 截至2026年2月5日 13點(diǎn)14分，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌2.15%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，天岳先進(jìn)領(lǐng)漲2.88%，珂瑪科技上漲2.79%，金海通上漲1.34%；華峰測控領(lǐng)跌6.54%，拓荊科技下跌5.02%，立昂微下跌4.82%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）下跌2.17%，最新報價1.85元。 流動性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手6.87%，成交5.34億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手3.89%，成交1.04億元。規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近2周規(guī)模增長1.60億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長，新增規(guī)模領(lǐng)先同類；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)27.25億元。 資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流出5938.88萬元。拉長時間看，近5個交易日內(nèi)有3日資金凈流入，合計(jì)“吸金”2.02億元，日均凈流入達(dá)4039.18萬元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出2074.60萬元。拉長時間看，近23個交易日內(nèi)有18日資金凈流入，合計(jì)“吸金”18.58億元，日均凈流入達(dá)8077.43萬元。 消息面上，美國半導(dǎo)體巨頭高通公布了超預(yù)期的2026 財年第一財季業(yè)績，但受全球存儲供應(yīng)短缺拖累，該公司業(yè)績展望不及市場預(yù)期。高通預(yù)計(jì)第二財季營收在102億至110億美元之間；調(diào)整后每股收益在2.45美元至2.65美元之間。而接受LSEG調(diào)查的分析師預(yù)計(jì)，高通第二財季營收為111.1億美元，每股收益為2.89美元。高通高管在接受采訪時表示，業(yè)績指引不及預(yù)期的直接原因是全球存儲芯片短缺。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心存儲需求旺盛，大量訂單擠占了智能手機(jī)等消費(fèi)電子設(shè)備所需內(nèi)存的產(chǎn)能。 東方證券指出，AI算力等相關(guān)需求在存儲需求中逐步占據(jù)主導(dǎo)地位，帶動存儲緊缺持續(xù)。DRAM方面，在服務(wù)器DRAM上北美及國內(nèi)各大云端服務(wù)業(yè)者（CSP）和OEM持續(xù)和存儲器原廠洽談年度DRAMLTA （long-term agreement）供應(yīng)量。由于買方積極競逐原廠供給，將帶動第一季Server DRAM價格上漲約90%，幅度創(chuàng)歷年之最。NAND方面，隨著推理AI應(yīng)用場景擴(kuò)大，市場對高效能儲存設(shè)備的需求遠(yuǎn)高于預(yù)期，北美各大CSP自2025年底起開始強(qiáng)力拉貨，刺激Enterprise SSD訂單爆發(fā)。在供給缺口持續(xù)擴(kuò)大的情況下，買方激進(jìn)囤貨以盡早補(bǔ)足庫存，推升2026年第一季Enterprise SSD價格將季增53-58%，創(chuàng)下單季漲幅最高紀(jì)錄。 相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。 半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。