佰維存儲(chǔ)公告稱，2026年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入68.14億元，同比增長(zhǎng)341.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為28.99億元，同比扭虧為盈。業(yè)績(jī)變動(dòng)主要系本期業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)，主要受益于AI算力爆發(fā)，存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入高景氣周期，市場(chǎng)需求旺盛推動(dòng)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲。

受此消息催化，科創(chuàng)芯片ETF(588290)上漲0.5%，成分股中船特氣上漲7.2%，芯源微上漲4%，峰岹科技上漲3.5%，聯(lián)蕓科技上漲3.01%，納芯微上漲2.43%。拉長(zhǎng)時(shí)間看，截至上一個(gè)交易日收盤(pán)，科創(chuàng)芯片ETF(588290)近1周累計(jì)上漲5.15%。

熱點(diǎn)解讀

當(dāng)前，存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入新一輪景氣周期，DRAM合約價(jià)（芯片供應(yīng)商與客戶之間簽訂的長(zhǎng)期供應(yīng)合同中的價(jià)格）預(yù)計(jì)2026年第一季度季增90%至95%，第二季度漲價(jià)已提前鎖定，再漲約30%。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，第二季度DRAM合約價(jià)將季增58%至63%，NAND Flash合約價(jià)則季增70%至75%。Micron財(cái)報(bào)顯示，DRAM業(yè)務(wù)營(yíng)收同比增長(zhǎng)207%，環(huán)比增長(zhǎng)74%，產(chǎn)品ASP環(huán)比上漲約65%；NAND Flash業(yè)務(wù)營(yíng)收創(chuàng)歷史新高，環(huán)比增長(zhǎng)82%，產(chǎn)品ASP環(huán)比上漲75%～79%。

漲價(jià)背后，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能供應(yīng)持續(xù)吃緊。大型AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)需求激增，促使科技公司大量囤積存儲(chǔ)芯片，導(dǎo)致整個(gè)行業(yè)處于短缺狀態(tài)。全球HBM(高帶寬內(nèi)存)未來(lái)3年復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)超40%，短缺態(tài)勢(shì)將持續(xù)到2026年以后。Samsung已確認(rèn)正在開(kāi)發(fā)第八代高帶寬內(nèi)存HBM5，核心底層芯片將采用2nm工藝打造。

為匹配市場(chǎng)需求，Micron上調(diào)資本開(kāi)支規(guī)劃，2026財(cái)年資本支出預(yù)計(jì)超250億美元，2027財(cái)年將繼續(xù)大幅增長(zhǎng)，重點(diǎn)投向HBM及DRAM產(chǎn)能建設(shè)。2026年資本支出重點(diǎn)將轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級(jí)與混合鍵合等先進(jìn)工藝的導(dǎo)入，位元供給增長(zhǎng)幅度有限，供不應(yīng)求的市場(chǎng)狀態(tài)或?qū)⒊掷m(xù)全年。Samsung與NVIDIA合作深化，后者新款A(yù)I推理芯片已委托三星晶圓代工事業(yè)部負(fù)責(zé)生產(chǎn)。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)也在加速發(fā)展，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已正式推出LPDDR5X產(chǎn)品，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期建設(shè)正邁向100%設(shè)備國(guó)產(chǎn)化目標(biāo)。CBA+4F2在制程節(jié)點(diǎn)壓力以及混合鍵合技術(shù)積累加持之下或成為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)彎道超車的必由之路。國(guó)內(nèi)利基存儲(chǔ)市場(chǎng)亦將在AI定制化存儲(chǔ)推動(dòng)下迎來(lái)發(fā)展良機(jī)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片制造龍頭企業(yè)，有望為產(chǎn)業(yè)鏈帶來(lái)諸多機(jī)會(huì)。

投資邏輯

存儲(chǔ)行業(yè)正迎來(lái)新一輪景氣周期，DRAM與NAND Flash合約價(jià)格持續(xù)上漲，AI算力需求爆發(fā)導(dǎo)致產(chǎn)能供應(yīng)吃緊，全球HBM未來(lái)3年復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)超40%。存儲(chǔ)原廠如Micron上調(diào)資本開(kāi)支規(guī)劃，重點(diǎn)投向HBM及DRAM產(chǎn)能建設(shè)，2026年將轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級(jí)與先進(jìn)工藝導(dǎo)入。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)加速發(fā)展，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出LPDDR5X產(chǎn)品，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期建設(shè)邁向100%設(shè)備國(guó)產(chǎn)化，CBA+4F2技術(shù)或成為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)彎道超車路徑，國(guó)內(nèi)利基市場(chǎng)在AI定制化存儲(chǔ)推動(dòng)下迎來(lái)發(fā)展良機(jī)。（聲明：以上信息僅供參考，不構(gòu)成投資建議。市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。）